Оперативная память
Найдено 1250 товаров
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память G.Skill Trident Z5 Neo 2x32ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3238G32GX2-TZ5N
3 594,75 р.руб.
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.4 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
- 2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 38T, тайминги 38-40-40, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7600 МГц, CL 38T, тайминги 38-46-46, напряжение 1.45 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В
Оперативная память ADATA 8ГБ DDR5 5600 МГц AD5U56008G-S
458,39 р.руб.
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
Оперативная память Crucial Pro Overclocking Edition 2x16ГБ DDR5 6000 МГц CP2K16G60C36U5B
1 685,86 р.руб.
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38-80, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
- 2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-22-22-42, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-80, напряжение 1.25 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
- 48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-76, напряжение 1.35 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 4800 МГц M321R2GA3BB6-CQK
2 439,08 р.руб.
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M321R4GA3PB0-CWMXJ
9 144,51 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
Оперативная память QUMO QUM4U-8G3200P22
318,31 р.руб.
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
Оперативная память ADATA XPG Lancer Blade 2x16ГБ DDR5 6000 МГц AX5U6000C3016G-DTLABBK
1 817,97 р.руб.
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В
- 2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-42-42-84, напряжение 1.45 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-96, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
Есть вопросы? Перезвоним вам!
Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время