Оперативная память
Найден 1671 товар
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Оперативная память G.Skill Trident Z5 RGB 2x48ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3036F48GX2-TZ5RK
5 439,45 р.руб.
- 96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-96, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В
Оперативная память G.Skill Trident Z5 RGB 2x32ГБ DDR5 6400МГц F5-6400J3239G32GX2-TZ5RK
3 965,40 р.руб.
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В
- 64 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2K43DB1-CWE
1 435,80 р.руб.
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
![Patriot Signature Line 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [PSD48G240081S]](/content/5/thumbs/1/74/86/1438674/X1JJJuHOjV.jpg)
- 1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В
Оперативная память Synology 16GB DDR4 PC4-21300 D4EC-2666-16G
5 475,40 р.руб.
- 1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Hynix 32ГБ DDR5 4800 МГц HMCG84MEBRA174N
4 802,82 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-89, напряжение 1.25 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M324R4GA3BB0-CQK
8 756,80 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, тайминги 52-52-52, напряжение 1.1 В
- 1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-84, напряжение 1.25 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-44-44-96, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 34T, тайминги 34-38-38-76, напряжение 1.3 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
Оперативная память Hiksemi Hiker 8ГБ DDR4 2666 МГц HSC408U26Z1
1 253,14 р.руб.
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
Есть вопросы? Перезвоним вам!
Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время