Оперативная память
Найдено 1248 товаров
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-76, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В
- 48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 7600 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48-84, напряжение 1.45 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45-108, напряжение 1.4 В
Оперативная память AMD Radeon R5 Entertainment Series 16ГБ DDR5 4800 МГц R5516G4800U1S-U
679,88 р.руб.
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 6400 МГц M321R8GA0PB2-CCP
9 326,36 р.руб.
- 64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-89, напряжение 1.25 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA0BB0-CQK
4 243,80 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
- 128 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 64 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-44-44-96, напряжение 1.4 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-76, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, тайминги 52-52-52, напряжение 1.1 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
3 938,11 р.руб.
- 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.35 В
Оперативная память G.Skill Ripjaws M5 RGB 2x24ГБ DDR5 5200 МГц F5-5200J4040A24GX2-RM5RW
2 355,68 р.руб.
- 48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В
Оперативная память Kingston FURY Impact 2x32GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KF432S20IBK2/64
1 953,00 р.руб.
- 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память G.Skill Ripjaws M5 RGB 2x32ГБ DDR5 6400 МГц F5-6400J3239G32GX2-RM5RW
3 944,12 р.руб.
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
Есть вопросы? Перезвоним вам!
Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время